氣體分析儀的CVD-ALD刻蝕工藝和濺射工藝
發(fā)布時間：
2023-07-19 11:15
來源：
氣體分析儀是一種用于分析氣體成分和濃度的設備。CVD-ALD (化學氣相沉積和原子層沉積) 刻蝕工藝和濺射工藝是兩種常見的薄膜制備工藝。
CVD-ALD是一種利用化學反應在基底表面上逐層沉積薄膜的方法。它涉及將氣體前驅物引入反應室中，并通過熱、光或等離子激發(fā)使其發(fā)生化學反應，從而形成沉積物。CVD-ALD工藝具有高度的控制性和均勻性，可以制備出厚度均勻、致密性好的薄膜。
濺射工藝是一種利用高能離子轟擊固體靶材，使其表面原子或分子逸出并沉積在基底上的方法。在濺射工藝中，靶材上的原子通過電弧放電或離子束轟擊等方式被激發(fā)，從而形成離子束，擊中基材表面并形成薄膜。濺射工藝較為簡單，并且能夠制備出高質(zhì)量的薄膜。
這兩種工藝的主要區(qū)別在于，CVD-ALD是一種化學反應方法，而濺射工藝是一種物理過程。CVD-ALD更適用于制備復雜化合物薄膜，具有較好的均勻性和控制性，但需要較高的溫度和真空條件。濺射工藝則更適用于制備金屬和合金薄膜，具有較高的沉積速率和較低的工藝溫度，但薄膜的均勻性和控制性較差。
綜上所述，CVD-ALD-刻蝕工藝和濺射工藝是常見的薄膜制備工藝，區(qū)別在于其工作原理和適用范圍。根據(jù)不同的應用需求和材料特性，可以選擇適合的工藝進行薄膜制備。
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